El término transistor proviene del inglés transistor, palabra compuesta formada por transfer (transferir) y resistor. Tanto el término inglés transfer y el español transferir provienen del latín transferre que significa “llevar de un lado a otro”, palabra compuesta con el prefijo trans- y el verbo ferre.
Por su parte, el termino resistor, que significa “el que resiste” proviene de elementos latinos como el prefijo re-, el verbo sistere y el sufijo –tor.
Un transistor es un componente semiconductor compuesto por dióxido de silicio cuya finalidad es amplificar las señales eléctricas. En electrónica los resistores son dispositivos que ponen resistencia al paso de la corriente a través de él.
Los transistores reciben este nombre de su capacidad de trasferir la señal en la entrada o base de un resistor conectado a un mayor voltaje en su colector o salida, de esa forma se logra amplificar la señal.
Indice
Tipos de transistor
Transistor de contacto puntual
Se le llama «transistor de punta de contacto», fue el primer transistor capaz de obtener una ganancia en la señal. Fue inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain.
Tiene una base de germanio, este semiconductor era mejor conocido que la combinación de cobre más oxido de cobre. Sobre esta base se apoyan don puntas metálicas juntas que constituyen el emisor y el colector respectivamente.
La corriente de base modula la resistencia que se registra en el colector. Su principio de funcionamiento estaba basado en los efectos de superficie.
Era difícil de fabricar pues las puntas se ajustaban a manos, dichas puntas eran tan frágiles que al caerse el transistor se pierde el ajuste.
Es un transistor con un mayor ancho de banda y convivió con el transistor de uniforme debido a tal capacidad.
Transistor de unión bipolar
Conocido como BTJ por sus siglas en ingles “Bipolar junction transistor” se fabrica cobre un monocristal fabricado con material semiconductor como germanio, silicio o el arseniuro de galio.
Sobre esta superficie se aplican sustancias contaminantes en tres zonas sucesivas dando lugar a dos uniones PN de la siguiente forma: N-P-N o P-N-P.
En las zonas N se encuentra la carga negativa, esto se logra contaminando el cristal con átomos ricos en electrones tales como arsénico o fósforo.
En las zonas P se generan huecos o portadores de carga positiva. Esto se logra contaminando el cristal con átomos con deficiencia de electrones como aluminio, galio o indio.
Las zonas contaminadas dan como resultado transistores PNP y NPN donde la letra intermedia representa la región base y las otras dos actúan como emisor y colector. Pueden ser del mismo tipo y de signo contrario a la base, siempre contaminados con sustancias diferentes o en concentraciones diferentes.
El mecanismo de funcionamiento del transistor dependerá de la geometría asociada, el comportamiento cuántico y el tipo de tecnología aplicada para la contaminación del monocristal.
Transistor de efecto de campo
Conocido como transistor de efecto de campo de unión (JFET)
Lo forma una barra de material semiconductor (silicio) que puede ser tipo N o P. En las zonas terminales de la barra se establece un contacto óhmico. Este transistor es de tipo N básico.
Si se encuentran dos regiones P en una barra N y se conectan externamente se producen puertas.
Estos transistores están fabricados empleando técnicas de procesamiento de semiconductores. Se emplea una oblea monocristalina semiconductora que actúa como región activa o canal.
Los más conocidos de este tipo son: JFET, MOSFET y MISFET.
Fototransistor
Son aquellos sensibles a la radiación electromagnética que se encuentra en frecuencias cercanas a la de la luz visible. Debido a este sistema de funcionamiento, su flujo de corriente es regulado regulando la luz incidente.
Trabaja de dos maneras diferentes:
- Como un transistor normal con corriente de base y salida.
- Como fototransistor, es decir, la luz que incide sobre él hace de corriente base.
Se emplean en lectores de cinta y tarjetas con perforaciones, en lápices ópticos y otros. Se emplean además en comunicaciones con fibra óptica con detectores con fotodiodos p-i-n. También se utilizan como parte de un sensor de proximidad.
Suelen llevar encapsulado un LED formando interruptores ópticos (opto-switch), cuya función es detectar la interrupción del haz de luz por un objeto.
Transistores de baja potencia
Se le conoce como transistor de pequeña señal. Tienen una intensidad de corriente pequeña o IC pequeña. Esto corresponde a una potencia menor a 0.5 W.
Transistor de mayor potencia
Se trata de transistores que cuentan con una intensidad de corriente grande o IC grande. Esto corresponde a una potencia mayor a 0,5 W.
